收藏本站
2SJ649
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C)
Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
Gate Cut-off Voltage
Symbol
I DSS
I GSS
V GS(off)
Test Condtions
V DS = –60 V, V GS = 0 V
m 20 V, V DS = 0 V
V GS =
V DS = –10 V, I D = –1 mA
MIN.
–1.5
TYP.
–2.0
MAX.
– 10
m 10
–2.5
Unit
μ A
μ A
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = –10 V, I D = –10 A
10
20
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = –10 V, I D = –10 A
V GS = –4.0 V, I D = –10 A
V DS = –10 V
V GS = 0 V
f = 1 MHz
V DD = –30 V, I D = –10 A
V GS = –10 V
R G = 0 ?
38
47
1900
350
140
10
10
73
48
75
m ?
m ?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
17
ns
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain Charge
Q G
Q GS
Q GD
V DD = –48 V
V GS = –10 V
I D = –20 A
38
7
10
nC
nC
nC
Body Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Note
V F(S-D)
t rr
Q rr
I F = 20 A, V GS = 0 V
I F = 20 A, V GS = 0 V
di/dt = 100 A/ μ s
0.95
49
100
V
ns
nC
Note Pulsed: PW ≤ 350 μ s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
D.U.T.
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG
V GS = –20 → 0 V
R G = 25 ?
50 ?
L
V DD
PG.
R G
D.U.T.
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS ( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS ( ? )
?
I D
I AS
BV DSS
V DS
V GS ( ? )
0
V DS
Wave Form
V DS
0
90%
10% 10%
90%
V DD
Starting T ch
τ
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
D.U.T.
I G = ? 2 mA
R L
2
PG.
50 ?
V DD
Data Sheet D16332EJ1V0DS
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
2SJ652-RA11 MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
2SJ673-AZ MOSFET P-CH -60V -36A TO-220
2SJ687-ZK-E1-AY MOSFET P-CH -20V -20A TO-252
2SK2094TL MOSFET N-CH 60V 2A DPAK
2SK3018T106 MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323
2SK3019TL MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
2SK3479-Z-E2-AZ MOSFET 100V N-CH TO-263
2SK3480-AZ MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
相关代理商/技术参数
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SJ651_03 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC Converter Applications
2SJ651-S 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
2SJ652 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SJ652_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
2SJ652-1E 功能描述:MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
2SJ652-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 4V DRIVE SERIES